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BAS19LT3G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：110.37 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT3G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable 文件：75.93 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19L_12	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：110.32 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	丝印：JP*；Package：SOT-23；High Voltage Switching Diode 文件：131.96 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	丝印：JP*；Package：SOT-23；High Voltage Switching Diode 文件：128.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1_07	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：128.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1D	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：131.96 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：128.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：131.96 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：110.32 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VR Min (V)：
120
VF Max (V)：
1/1.25
IR Max (µA)：
0.1
IF Max (A)：
0.2
trr Max (ns)：
50
CD Max (pF)：
5
Package Type：
SOT-23-3

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更多BAS19L供应商更新时间2025-10-4 10:03:00

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