BAS19LT1G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BAS19LT1G |
参数属性 | BAS19LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GP 120V 200MA SOT23-3 |
功能描述 | High Voltage Switching Diode |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
131.96 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-15 17:34:00 |
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BAS19LT1G规格书详情
BAS19LT1G属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由安森美半导体公司制造生产的BAS19LT1G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
产品属性
更多- 产品编号:
BAS19LT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
200mA
- 速度:
小信号 =< 200mA(Io),任意速度
- 不同 Vr、F 时电容:
5pF @ 0V,1MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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