BAS19LT1分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BAS19LT1 |
| 参数属性 | BAS19LT1 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23 |
| 功能描述 | Plastic-Encapsulated Diodes |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
61.07 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | Tokyo Electron Ltd. |
| 企业简称 |
TEL【东电电子】 |
| 中文名称 | 东京电子有限公司官网 |
| 原厂标识 | TEL |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 18:03:00 |
| 人工找货 | BAS19LT1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BAS19LT1规格书详情
SWITCHING DIODE
FEATURES
Power dissipation
PD: 225 mW (Tamb=25℃)
Forward Current
IF: 200 m A
Reverse Voltage
VR: 120 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
产品属性
- 产品编号：
BAS19LT1
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
- 速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
- 不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
9734/ |
SOT-23 |
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