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BAS19LT1分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

BAS19LT1

参数属性

BAS19LT1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

功能描述

Plastic-Encapsulated Diodes

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

61.07 Kbytes

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1

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更新时间

2026-2-8 23:00:00

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BAS19LT1规格书详情

SWITCHING DIODE

FEATURES

Power dissipation

PD: 225 mW (Tamb=25℃)

Forward Current

IF: 200 m A

Reverse Voltage

VR: 120 V

Operating and storage junction temperature range

TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

产品属性

  • 产品编号:

    BAS19LT1

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    5pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOT-23-3(TO-236)
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