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BAS19LT1	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	丝印：JP*；Package：SOT-23；High Voltage Switching Diode High Voltage Switching Diode Device Marking: • BAS19LT1 = JP • BAS20LT1 = JR • BAS21LT1 = JS • BAS21DW5T1 = JS Features • Pb−Free Packages are Available 文件：52.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1	文件：61.07 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Diodes SWITCHING DIODE FEATURES Power dissipation PD: 225 mW (Tamb=25℃) Forward Current IF: 200 m A Reverse Voltage VR: 120 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：61.07 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
BAS19LT1	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	丝印：JP*；Package：SOT-23；High Voltage Switching Diode 文件：128.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	丝印：JP*；Package：SOT-23；High Voltage Switching Diode 文件：131.96 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Diodes	TRANSYS	TRANSYS
BAS19LT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable 文件：75.93 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：110.37 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode High Voltage Switching Diode Device Marking: • BAS19LT1 = JP • BAS20LT1 = JR • BAS21LT1 = JS • BAS21DW5T1 = JS Features • Pb−Free Packages are Available 文件：52.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1_07	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：128.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BAS19LT1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

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更多BAS19LT1供应商更新时间2026-4-17 14:00:00

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