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BAS20LT1G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS20LT1G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements; AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS20LT1G	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode HighVoltage SwitchingDiodeDeviceMarking: •BAS19LT1=JP •BAS20LT1=JR •BAS21LT1=JS •BAS21DW5T1=JS Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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BAS20LT1G	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS20LT1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS20LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GP 200V 200MA SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS20LT1	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS20LT1	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode HighVoltage SwitchingDiodeDeviceMarking: •BAS19LT1=JP •BAS20LT1=JR •BAS21LT1=JS •BAS21DW5T1=JS Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCX20LT1	文件：51.62 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BCX20LT1	文件：87.11 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BCX20LT1	文件：69.45 Kbytes Page：1 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTORS	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBTA20LT1	文件：413.35 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeAmplifier GeneralPurposeAmplifier NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBTA20LT1	文件：227.53 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeAmplifier(NPNSilicon) GeneralPurposeAmplifier NPNSilicon Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBTA20LT1	文件：316.57 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeAmplifier(NPNSilicon) GeneralPurposeAmplifier NPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
SBAS20LT1G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements; AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBAS20LT1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBAS20LT1G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BAS20LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GP 200V 200MA SOT23-3

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