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BAS19LT3G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：110.37 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT3G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable 文件：75.93 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT3G	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode High Voltage Switching Diode Device Marking: • BAS19LT1 = JP • BAS20LT1 = JR • BAS21LT1 = JS • BAS21DW5T1 = JS Features • Pb−Free Packages are Available 文件：52.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT3G	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：131.96 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT3G	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：128.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT3G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：110.32 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GP 120V 200MA SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BAS19LT3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GP 120V 200MA SOT23-3

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