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BAS19LT1G_09	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：131.96 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT3	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：128.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT3G	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：128.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT3G	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：131.96 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT3G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：110.32 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19L	文件：300 bytes Page：1 Pages	开关二极管，高电压，120 V The high voltage switching diode is designed for high voltage, high speed switching applications.This dual diode device contains two electrically isolated high voltage switching diodes encapsulated in a SOT-23 surface mount package. • Pb-Free Package is Available.\n• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Diodes	TRANSYS	TRANSYS
BAS19LT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GP 120V 200MA SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS19LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GP 120V 200MA SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VR Min (V)：
120
VF Max (V)：
1/1.25
IR Max (µA)：
0.1
IF Max (A)：
0.2
trr Max (ns)：
50
CD Max (pF)：
5
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市联世界科技有限公司	BAS19LT1	ON	24+/25+		1305	原装正品现货库存价优	询价
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更多BAS19L供应商更新时间2026-4-20 9:14:00

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