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BAS16V_15	文件：320.98 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAS16V_15	文件：148.1 Kbytes Page：5 Pages	DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS16V-7	文件：213.66 Kbytes Page：3 Pages	DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS16VPT	文件：300 bytes Page：1 Pages	SWITCHING DIODE VOLTAGE 100 Volts CURRENT 0.15 Ampere;	ChenmkoCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	Chenmko
BAS16VTB6	文件：172.33 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS16VTB6_16	文件：181.65 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS16VTB6_R1_00001	文件：181.65 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS16VTB6_R2_00001	文件：181.65 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS16VTWPT	文件：300 bytes Page：1 Pages	FAST SWITCHING DIODE ARRAY VOLTAGE 75 Volts CURRENT 150 mAmpere;	ChenmkoCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	Chenmko
BAS16VV	文件：67.84 Kbytes Page：12 Pages	Triple high-speed switching diodes	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard (Q on Request)
Configuration：
Dual
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
150 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
75 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
4 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
200 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
2 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
0
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
1 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
75 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
75
TotalCapacitance CT (pF)：
2 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
0.9
VF(V) Max @ IF=10mA：
1
Packages：
SOT563

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BAS16V供应商更新时间2025-7-30 16:56:00

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