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BAS116LS	文件：218.95 Kbytes Page：10 Pages	Low-leakagediode 1.Generaldescription Low-leakagediodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Switchingtime:max.trr=3μs •Lowleakagecurrent:max.IR=5nA •Repetitivepeakreversevolt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116LS-Q	文件：219.22 Kbytes Page：10 Pages	Low-leakagediode 1.Generaldescription Low-leakagediodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Switchingtime:max.trr=3μs •Lowleakagecurrent:max.IR=5nA •Repetitivepeakreversevolt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116QA	文件：687.94 Kbytes Page：12 Pages	Low-leakagediode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116RF	文件：68.48 Kbytes Page：2 Pages	225mWSMDSwitchingDiode FEATURES -Lowpowerloss,highcurrentcapability,lowVF -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free) MECHANICAL	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS116RFG	文件：206.57 Kbytes Page：4 Pages	225mW,SMDSwitchingDiode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS116T	文件：55.06 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116T	文件：76.66 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116T	文件：82.22 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •VeryLowLeakageCurrent •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116T	文件：248.06 Kbytes Page：11 Pages	Singlelowleakagecurrentswitchingdiode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116TW	文件：146.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2nAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA •Case:SOT-363plastic	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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产品属性

产品编号：
BAS116GWJ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
215mA
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOD-123
供应商器件封装：
SOD-123
工作温度 - 结：
150°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123

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更多BAS116GWJ供应商更新时间2025-7-16 18:03:00

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