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IRF1404LPBF	文件：3.89112 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFETÆPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Dynamicdv/dtRating 175°COperatingTemperature	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404LPBF	文件：279.7 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1404PBF	文件：3.45272 Mbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404PBF	文件：214.2 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1404PBF	文件：201.83 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFETPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellk	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1404S	文件：329.6 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea. Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1404S	文件：306.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=40V,Rds(on)=0.004ohm,Id=162A?? Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. lAdvancedProcessTechnology lUltraLowOn-Resistance lDynamicdv/dtRating l175°COperatingTemp	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1404S	文件：1.19651 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage. lAdvancedProcessTechnology lUltraLowOn-Resistance lDynam	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404S	文件：263.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1404SPBF	文件：279.7 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFETÆPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Dynamicdv/dtRating 175°COperatingTemperat	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1404SPBF	文件：279.7 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1404SPBF	文件：3.89112 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFETÆPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Dynamicdv/dtRating 175°COperatingTemperature	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404STRLPBF	文件：279.7 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFETÆPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Dynamicdv/dtRating 175°COperatingTemperat	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1404Z	文件：294.32 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1404Z	文件：338.47 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1404Z	文件：4.6855 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFETAdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404Z	文件：2.53346 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=40V ●ID=75A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
IRF1404Z	文件：329.6 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea. Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1404Z	文件：306.06 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1404ZGPBF	文件：291.97 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
BA1404
制造商：
ROHM
制造商全称：
Rohm
功能描述：
Fm Stereo Transmitter

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BA1404供应商更新时间2024-5-17 16:20:00

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