IRF1404S中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRF1404S规格书详情
Description
Seventh Generation HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRF1404S
- 功能描述：
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO263 |
8890 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
D2PAK |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IRF1404STRR |
225 |
225 |
询价 | ||||
IR |
22+ |
TO-263 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
IR(国际整流器) |
24+ |
N/A |
17048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 |
