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BGF112	文件：201.67 Kbytes Page：7 Pages	AVI/FDevicewithESDProtection	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BH112	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
BLD112D	文件：356.64 Kbytes Page：4 Pages	NPNDSERIESTRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
BLE112	文件：737.44 Kbytes Page：34 Pages	Heartratesensors	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
BLE112	文件：973.17 Kbytes Page：31 Pages	Bluetoothv.4.0,singlemodecompliant	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BLE112	文件：147.98 Kbytes Page：3 Pages	Bluetoothspecification	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BLED112	文件：3.57088 Mbytes Page：12 Pages	BLED112USBdongle	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
BS112	文件：132.74 Kbytes Page：3 Pages	WIDEWAVELENGTHBANDTYPEPHOTODIODE BlueSensitivePhotodiodes	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
BSH112	文件：290.23 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage ■Gate-sourceESDprotectiondiodes. c c Applications ■	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSH112	文件：391.21 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™1technology. Productavailability: BSH112inSOT23. 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage nGate-sourc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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详细参数

型号：
ATP112
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

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