BSH112中文资料安世数据手册PDF规格书
BSH112规格书详情
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS™1 technology.
Product availability:
BSH112 in SOT23.
2. Features
n TrenchMOS™ technology
n Very fast switching
n Logic level compatible
n Subminiature surface mount package
n Gate-source ESD protection diodes.
3. Applications
n Relay driver
n High speed line driver
n Logic level translator.
产品属性
- 型号:
BSH112
- 功能描述:
MOSFET TAPE13 PWR-MO
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
SOT23 |
2650 |
原装优势!绝对公司现货 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT23 |
8200 |
全新进口原装现货 |
询价 | ||
恩XP |
1950+ |
SOT23 |
4856 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2019+ |
SOT-23 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT23 |
21574 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
恩XP |
2015+ |
SMD |
19998 |
一级代理原装现货,特价热卖! |
询价 | ||
恩XP |
21+ |
42664 |
12588 |
原装正品假一罚十 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
2025+ |
SOT-23 |
7695 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
NEXPERIA |
23+ |
SOT-23 |
60000 |
原装正品现货 |
询价 |