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BSH112
厂商型号

BSH112

功能描述

N-channel enhancement mode field-effect transistor

文件大小

391.21 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-2 16:11:00

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BSH112规格书详情

1. Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™1 technology.

Product availability:

BSH112 in SOT23.

2. Features

n TrenchMOS™ technology

n Very fast switching

n Logic level compatible

n Subminiature surface mount package

n Gate-source ESD protection diodes.

3. Applications

n Relay driver

n High speed line driver

n Logic level translator.

产品属性

  • 型号:

    BSH112

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MO

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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