BSH108中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
BSH108规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology.
特性 Features
■ TrenchMOS™ technology
■ Very fast switching
■ Logic level compatible
■ Subminiature surface mount package.
Applications
■ Battery management
■ High speed switch
■ Low power DC to DC converter.
产品属性
- 型号：
BSH108
- 功能描述：
MOSFET TAPE7 PWR-MO
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
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NEXPERIA/安世 |
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恩XP |
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SOT-23 |
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恩XP |
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恩XP |
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SOT23 |
200000 |
询价 |
