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BSH108中文资料台湾TY半导体数据手册PDF规格书

BSH108
厂商型号

BSH108

功能描述

N-channel enhancement mode field-effect transistor

文件大小

206.38 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 TY Semiconductor Co., Ltd
企业简称

TYSEMI台湾TY半导体

中文名称

台湾TY半导体有限公司官网

原厂标识
TYSEMI
数据手册

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更新时间

2025-8-5 16:47:00

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BSH108规格书详情

描述 Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology.

特性 Features

■ TrenchMOS™ technology

■ Very fast switching

■ Logic level compatible

■ Subminiature surface mount package.

Applications

■ Battery management

■ High speed switch

■ Low power DC to DC converter.

产品属性

  • 型号:

    BSH108

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE7 PWR-MO

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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