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ATP112	文件：375.61 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-Channel Power MOSFET –60V, –25A, 43mΩ, Single ATPAK Features • ON-resistance RDS(on)1=33mΩ(typ.) • 4V drive • Protection diode in • Input Capacitance Ciss=1450pF(typ.) • Halogen free compliance 文件：375.61 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP112	文件：350.8 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=33mΩ(typ.) • 4V drive • Protection diode in • Input Capacitance Ciss=1450pF(typ.) • Halogen free compliance 文件：350.8 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ATP112	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Power MOSFET, -60V, -25A, 43mΩ ATP112 is P-Channel Power MOSFET, -60V, -25A, 43mΩ, Single ATPAK for General-Purpose Switching Device Application. • ON-resistance RDS(on)1 = 33mΩ (typ)\n• 4V drive\n• Input Capacitance Ciss=1450pF (typ)\n• Protection diode in;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP112-TL-H	文件：375.61 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-Channel Power MOSFET –60V, –25A, 43mΩ, Single ATPAK Features • ON-resistance RDS(on)1=33mΩ(typ.) • 4V drive • Protection diode in • Input Capacitance Ciss=1450pF(typ.) • Halogen free compliance 文件：375.61 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP112_12	文件：481.96 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：481.96 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ATP112-TL-H	文件：481.96 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：481.96 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
-25
PD Max (W)：
40
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
59
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
43
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
33.5
Ciss Typ (pF)：
1450
Package Type：
DPAK (Single Gauge)/ATPAK

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更多ATP112供应商更新时间2025-10-4 15:01:00

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