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BCL-112	文件：179.22 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor1AWGWire,StudSize1/2,Un-PlatedWidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-112	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-112-PL	文件：179.32 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor1AWGWire,StudSize1/2,PlatedWidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-112-PL	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCR112	文件：35.45 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR112	文件：206.83 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR112	文件：120.53 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR112	文件：841.95 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR112F	文件：206.83 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR112F	文件：120.53 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
ATP112
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

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