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BCR112	文件：206.83 Kbytes Page：9 Pages	丝印：WFs；Package：SOT-23；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=4.7kΩ, R2=4.7kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：206.83 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112	文件：841.69 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=4.7kΩ, R2=4.7kΩ) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：841.69 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112	文件：35.45 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, inferface circuit, driver circuit) NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, inferface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=4.7kΩ, R2=4.7kΩ) 文件：35.45 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCR112	文件：841.95 Kbytes Page：8 Pages	丝印：WFs；Package：SOT23；NPN Silicon Digital Transistor 文件：841.95 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112	文件：120.53 Kbytes Page：11 Pages	丝印：WFs；Package：SOT-23；NPN Silicon Digital Transistor 文件：120.53 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112W	文件：841.95 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BCR112W；Package：SOT323；NPN Silicon Digital Transistor 文件：841.95 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112	文件：300 bytes Page：1 Pages	AF 数字晶体管 NPN硅数字晶体管 • 开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装\n• 符合 AEC Q101 要求;	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112E6327HTSA1	文件：841.69 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=4.7kΩ, R2=4.7kΩ) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：841.69 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112F	文件：206.83 Kbytes Page：9 Pages	丝印：WFs；Package：TSFP-3；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=4.7kΩ, R2=4.7kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：206.83 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112L3	文件：206.83 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=4.7kΩ, R2=4.7kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：206.83 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

hFEmin：
20
ICBOmax：
100 nA
Ptotmax：
200 mW
R1 / R2：
1
R1：
4.7 kΩ
R2：
4.7 kΩ
VCBOmax：
50 V
VCE(sat)max：
0.3 V
VCEOmax：
50 V
VEBOmax：
10 V
Vi (off) max：
1.5 100µA / 5V
Vi (on)max：
1.5 V
Vi (on)min：
1 2mA / 0.3V
Mounting：
SMT
Polarity：
NPN (Single)

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