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BS112	文件：132.74 Kbytes Page：3 Pages	WIDE WAVELENGTH BAND TYPE PHOTODIODE BlueSensitivePhotodiodes	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
BSH112	文件：290.23 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage ■Gate-sourceESDprotectiondiodes. c c Applications ■	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSH112	文件：391.21 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™1technology. Productavailability: BSH112inSOT23. 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage nGate-sourc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BTS112	文件：319.78 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●ThedrainpiniselectricalIyshortedtothetab	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS112	文件：332.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BTS112A	文件：319.78 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●ThedrainpiniselectricalIyshortedtothetab	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS112A	文件：579.28 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(N-channelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●ThedrainpiniselectricalIyshortedtothetab	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BU112	文件：212.86 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU112	文件：126.56 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
CAPA112	文件：391.14 Kbytes Page：1 Pages	AMDG-SeriesAPU3.5EmbeddedSBCwithAMDA55EFCH,LVDS/VGA,DualLANsandAudio	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾讯科技艾讯股份有限公司	AXIOMTEK

详细参数

型号：
BS112
制造商：
SHARP
制造商全称：
Sharp Electrionic Components
功能描述：
WIDE WAVELENGTH BAND TYPE PHOTODIODE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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