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AT-32011	文件：125.07 Kbytes Page：10 Pages	Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor Description Hewlett Packard’s AT-32011 and AT-32033 are high performance NPN bipolar transistors that have been optimized for maximum ft at low voltage operation, making them ideal for use in battery powered applications in wireless markets. The AT-32033 uses the 3␣ lead SOT-23, while the AT-320 文件：125.07 Kbytes 页数：10 Pages	HP 安捷伦	HP
AT-32011	文件：297.02 Kbytes Page：10 Pages	Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor 文件：297.02 Kbytes 页数：10 Pages	AVAGO 安华高	AVAGO
AT-32011	文件：297.02 Kbytes Page：10 Pages	Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor 文件：297.02 Kbytes 页数：10 Pages	BOARDCOM 博通	BOARDCOM
AT-32011	文件：300 bytes Page：1 Pages	用于电池操作的微电流晶体管微电流设备在 1mA - 20mA 中提供优秀的射频性能。AT-320XX 由各类包装来封装，非常适于寻呼、蜂窝/PCS 和其它射频应用。NF = 1dB；增益 = 14dB @ 3V、2mA；P1dB = 13dBm @ 3V、20mA（所有都在 900 MHz 下）;	Broadcom 博通	Broadcom
AT-32011-BLK	文件：125.07 Kbytes Page：10 Pages	Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor Description Hewlett Packard’s AT-32011 and AT-32033 are high performance NPN bipolar transistors that have been optimized for maximum ft at low voltage operation, making them ideal for use in battery powered applications in wireless markets. The AT-32033 uses the 3␣ lead SOT-23, while the AT-320 文件：125.07 Kbytes 页数：10 Pages	HP 安捷伦	HP
AT-32011-TR1	文件：125.07 Kbytes Page：10 Pages	Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor Description Hewlett Packard’s AT-32011 and AT-32033 are high performance NPN bipolar transistors that have been optimized for maximum ft at low voltage operation, making them ideal for use in battery powered applications in wireless markets. The AT-32033 uses the 3␣ lead SOT-23, while the AT-320 文件：125.07 Kbytes 页数：10 Pages	HP 安捷伦	HP
AT-32011-TR1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-253-4，TO-253AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5.5V SOT143	Broadcom Limited	Broadcom Limited
AT-32011-TR1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-253-4，TO-253AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5.5V SOT143	Broadcom Limited	Broadcom Limited
AT-32011-TR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-253-4，TO-253AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5.5V SOT143	Broadcom Limited	Broadcom Limited

技术参数

Amp Freq Max In Ghz：
4.0
Distrib. Inventory：
Yes
Amp Freq Min In Ghz：
0.0
Collect Curr In A：
20.0
Gain At 2 4ghz In Db：
10.0
Gain At 900mhz In Db：
14.0
RoHS6 Compliant：
Y
Mounting Direction：
Top
Mounting Method：
Solder Reflow
Noise At 2 4ghz In Db：
1.6
Noise At 900mhz In Db：
0.8
Pwr At 1db In Dbm：
13.0
Pwr At 2 4ghz In Dbm：
13.0
Pwr At 900mhz In Dbm：
13.0
Pwr Bias In Ma：
20.0
Test Bias Voltage (V)：
2.7
Vo Max In V：
5
Voltage (V)：
2.7V
Frequency (GHz)：
0.9-2.4
Bias Condition (V@mA)：
2.7V@2mA
NF (dB)：
1.0
Gain (dB)：
14
P1dB (dBm)：
13
OIP3 (dBm)：
24
Package：
SOT-143
Vo Min In V：
1.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市富诚威科技有限公司	AT-32011	Agilent	25+		3600	绝对原装!现货热卖!	询价
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技术参数

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