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AT-32011-TR1G

Package:TO-253-4,TO-253AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 5.5V SOT143

Broadcom Limited

Broadcom Limited

AT-32011-TR1

Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor

Description Hewlett Packard’s AT-32011 and AT-32033 are high performance NPN bipolar transistors that have been optimized for maximum ft at low voltage operation, making them ideal for use in battery powered applications in wireless markets. The AT-32033 uses the 3␣ lead SOT-23, while the AT-320

文件:125.07 Kbytes 页数:10 Pages

HP

安捷伦

AT32AP7000

ATMEL
BGA

AtmelAtmel Corporation

爱特梅尔爱特梅尔公司

上传:深圳市科恒伟业电子有限公司

AT32F403ACCT7

ARTERY
LQFP-48

Artery

雅特力科技

上传:深圳市芯巴巴科技有限公司

AT32F403ARGT7

ARTERY
LQFP64

Artery

雅特力科技

上传:深圳市拓亿芯电子有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    AT-32011-TR1G

  • 制造商:

    Broadcom Limited

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5.5V

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

  • 增益:

    12.5dB ~ 14dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 2mA,2.7V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    32mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-143

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5.5V SOT143

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AT-32011-TR1G供应商 更新时间2025-10-8 8:12:00