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AT-32011-TR1	文件：125.07 Kbytes Page：10 Pages	Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor Description HewlettPackard’sAT-32011andAT-32033arehighperformanceNPNbipolartransistorsthathavebeenoptimizedformaximumftatlowvoltageoperation,makingthemidealforuseinbatterypoweredapplicationsinwirelessmarkets.TheAT-32033usesthe3␣leadSOT-23,whiletheAT-320	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
AT-32011-TR1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-253-4，TO-253AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5.5V SOT143	Broadcom Limited Broadcom Limited	Broadcom Limited
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AT-32011-TR1

文件：125.07 Kbytes

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Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor

Description HewlettPackard’sAT-32011andAT-32033arehighperformanceNPNbipolartransistorsthathavebeenoptimizedformaximumftatlowvoltageoperation,makingthemidealforuseinbatterypoweredapplicationsinwirelessmarkets.TheAT-32033usesthe3␣leadSOT-23,whiletheAT-320

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷伦科技安捷伦科技有限公司

AT-32011-TR1

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Broadcom Limited

AT-32011-TR1G

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Package：TO-253-4，TO-253AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5.5V SOT143

Broadcom Limited

产品属性

产品编号：
AT-32011-TR1
制造商：
Broadcom Limited
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
5.5V
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1dB ~ 1.3dB @ 900MHz
增益：
12.5dB ~ 14dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 2mA，2.7V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
32mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-253-4，TO-253AA
供应商器件封装：
SOT-143
描述：
RF TRANS NPN 5.5V SOT143

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更多AT-32011-TR1供应商更新时间2025-5-17 17:22:00

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