AT-32011-TR1_分立半导体产品 晶体管-双极(BJT)-射频-Broadcom Limited

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  • 厂家型号:

    AT-32011-TR1

  • 制造商:

    Broadcom Limited

  • 库存数量:

    0

  • 类别:

    分立半导体产品 晶体管-双极(BJT)-射频

  • 封装外壳:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 更新时间:

    2025-7-2 17:22:00

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原厂料号:AT-32011-TR1品牌:Broadcom Limited

资料说明:RF TRANS NPN 5.5V SOT143

AT-32011-TR1是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。制造商Broadcom Limited生产封装TO-253-4,TO-253AA的AT-32011-TR1晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

  • 芯片型号:

    at-32011-tr1

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 资料说明:

    RF TRANS NPN 5.5V SOT143

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    AT-32011-TR1

  • 制造商:

    Broadcom Limited

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5.5V

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

  • 增益:

    12.5dB ~ 14dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 2mA,2.7V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    32mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-143

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5.5V SOT143

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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