isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 73A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 75mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

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无锡固电

POWER MOS 7 R MOSFET

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POWER MOS 7 R MOSFET

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POWER MOS 7 R FREDFET

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isc N-Channel MOSFET Transistor

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POWER MOS 7 R MOSFET

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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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