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APT5028BVR	文件：61.95 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Fast	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5028BVR	文件：419.52 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT5028SVR	文件：64.959 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Fast	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARS5028	文件：318.61 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressorforAutomobileButton BreakdownVoltage-24to40Volts ForwardCurrent-50Amperes Features ●Highsurgecurrentcapability ●Lowloss ●Lowforwardvoltagedrop ●Lowleakagecurrent ●Highsurgeforwardcurrentcapability ●Hightemperaturesolderingguaranteed:250℃/10S Applications ●Generallyappliedi	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
ARZ5028	文件：321.91 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressorforAutomobileButton BreakdownVoltage-24to40Volts ForwardCurrent-50Amperes Features ●Highsurgecurrentcapability ●Lowloss ●Lowforwardvoltagedrop ●Lowleakagecurrent ●Hightemperaturesolderingguaranteed:250℃/10S ●Highsurgeforwardcurrentcapability Applications ●Generallyappliedi	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BPZ5028	文件：220.84 Kbytes Page：2 Pages	PRESS-FITBOSCHDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BPZ5028	文件：193.65 Kbytes Page：2 Pages	AVALANCHEPRESS-FITBOSCHDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
CTSRU5028F	文件：365.58 Kbytes Page：1 Pages	SMDShieldedPowerInductor	CT Central Technologies	CT
D5028UK	文件：83.97 Kbytes Page：5 Pages	METALGATERFSILICONFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DS5028E	文件：519.62 Kbytes Page：41 Pages	IntegratedPMICwith4-ChannelSynchronousBuckConverters,8LDOs,andMTPNon-VolatileMemoryforIndustrialApplications	RichTekRichtek Technology Corporation 立锜科技立锜科技股份有限公司	RichTek

详细参数

型号：
APT5028BVR
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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