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APT5028BVRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT5028SVR	文件：64.959 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Fast 文件：64.959 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
ARS5028	文件：318.61 Kbytes Page：3 Pages	Transient Voltage Suppressor for Automobile Button Breakdown Voltage - 24 to 40Volts Forward Current - 50 Amperes Features ● High surge current capability ● Low loss ● Low forward voltage drop ● Low leakage current ● High surge forward current capability ● High temperature soldering guaranteed: 250℃/10S Applications ● Generally applied i 文件：318.61 Kbytes 页数：3 Pages	HY 虹扬科技	HY
ARZ5028	文件：321.91 Kbytes Page：3 Pages	Transient Voltage Suppressor for Automobile Button Breakdown Voltage - 24 to 40Volts Forward Current - 50 Amperes Features ● High surge current capability ● Low loss ● Low forward voltage drop ● Low leakage current ● High temperature soldering guaranteed: 250℃/10S ● High surge forward current capability Applications ● Generally applied i 文件：321.91 Kbytes 页数：3 Pages	HY 虹扬科技	HY

详细参数

型号：
APT5028BVRG
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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