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APT50GR120L	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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APT50GR120L

文件：2.83333 Mbytes

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Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7®MOSFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

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Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT50GR120L

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包装：管件封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 117A 694W TO264

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

产品属性

产品编号：
APT50GR120L
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，50A
开关能量：
2.14mJ（开），1.48mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/237ns
测试条件：
600V，50A，4.3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：
TO-264
描述：
IGBT 1200V 117A 694W TO264

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更多APT50GR120L供应商更新时间2024-5-21 19:00:00

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