选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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MICROSEMI-美高森美TO-247-3 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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Microsemi CorporationTO247 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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瑞航达科技(深圳)有限公司6年
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MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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Microsemi CorporationTO-247-3 |
9350 |
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独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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MICROSEMITO-247 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
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Microsemi CorporationTO247 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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Microsemi CorporationTO247 |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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MicrosemiN/A |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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APT50GS60BRDLG图片
APT50GS60BRDLG中文资料Alldatasheet PDF
更多APT50GS60BRDLG制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
产品属性
- 产品编号:
APT50GS60BRDLG
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.15V @ 15V,50A
- 开关能量:
755µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
16ns/225ns
- 测试条件:
400V,50A,4.7 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247
- 描述:
IGBT 600V 93A 415W TO247