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APT50GS60BRDLG

IGBT w/ anti-parallel diode

Microchip

微芯科技

APT50GS60BRDLG

Resonant Mode Combi IGBT

文件:251.43 Kbytes 页数:9 Pages

MICROSEMI

美高森美

APT50GS60BRDLG

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 93A 415W TO247

MICROSEMI

美高森美

APT50GS60BRG

Thunderbolt High Speed NPT IGBT

文件:612.79 Kbytes 页数:7 Pages

MICROSEMI

美高森美

APT50GS60BRG

Power Semiconductors Power Modules

文件:2.83336 Mbytes 页数:44 Pages

MICROSEMI

美高森美

APT50GS60SR

Thunderbolt High Speed NPT IGBT

文件:612.79 Kbytes 页数:7 Pages

MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    APT50GS60BRDLG

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.15V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    755µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    16ns/225ns

  • 测试条件:

    400V,50A,4.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 600V 93A 415W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多APT50GS60BRDLG供应商 更新时间2026-2-4 15:00:00