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APT50GP60LDLG

Resonant Mode Combi IGBT

文件:203.55 Kbytes 页数:9 Pages

MICROSEMI

美高森美

APT50GP60LDLG

IGBT w/ anti-parallel diode

Microchip

微芯科技

APT50GP60LDLG

Package:TO-264-3,TO-264AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 150A 625W TO264

MICROSEMI

美高森美

APT50GP60S

POWER MOS 7 IGBT

文件:98.33 Kbytes 页数:6 Pages

ADPOW

BSM50GP60

Hochstzulassige Werte / Maximum rated values

文件:135.64 Kbytes 页数:12 Pages

EUPEC

产品属性

  • 产品编号:

    APT50GP60LDLG

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    456µJ(开),635µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    19ns/85ns

  • 测试条件:

    400V,50A,4.3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264

  • 描述:

    IGBT 600V 150A 625W TO264

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Microch
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Microsemi Corporation
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TO264
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更多APT50GP60LDLG供应商 更新时间2026-1-30 17:31:00