isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current :ID= 56A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching

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无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

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Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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New T-MAX??Package (Clip-mounted TO-247 Package)

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