选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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APTTO-247-3() |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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MICROCHIP-微芯TO-247-3 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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APTT-MAXB2 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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TECCOR/LITTTO-220 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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APTT-MAXB2 |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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APTT-MAXB2 |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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APTT-MAXB2 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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APT22+ |
6000 |
T-MAXB2 |
十年配单,只做原装 |
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APT50M80B2VRG中文资料Alldatasheet PDF
更多APT50M80B2VRG功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件