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APT50M80B2VRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET Power MOSFET - MOS5;	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
APT50M80B2LC	文件：36.23 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSVI™ PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss.LowergatechargecoupledwithPowerMOSVITMoptimizedgatelayout,deliver	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT50M80B2VFR	文件：97.37 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSV	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT50M80B2VFR	文件：34.75 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •IdenticalSpecific	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT50M80B2VFR	文件：420.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT50M80B2VR	文件：337.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.08Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT50M80B2VR	文件：95.91 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSV	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT50M80B2VR	文件：38.12 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Iden	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW

详细参数

型号：
APT50M80B2VRG
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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