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APT36GA60BD15	文件：2.83333 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT36GA60BD15	文件：319.91 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION · Fast switching with low EMI · Low conduction loss · Low gate charge APPLICATIONS · Welding · UPS, solar, and other inverters · High frequency, high effi ciency industrial 文件：319.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT36GA60BD15	文件：247.49 Kbytes Page：9 Pages	High Speed PT IGBT 文件：247.49 Kbytes 页数：9 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT36GA60BD15	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT36GA60BD15	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT w/ anti-parallel diode	Microchip 微芯科技	Microchip
APT36GA60BD15	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 65A 290W TO-247	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

产品属性

产品编号：
APT36GA60BD15
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
POWER MOS 8™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，20A
开关能量：
307µJ（开），254µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
16ns/122ns
测试条件：
400V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 [B]
描述：
IGBT 600V 65A 290W TO-247

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更多APT36GA60BD15供应商更新时间2026-1-23 15:01:00

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