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APT35GP120B2DQ2

POWER MOS 7 IGBT

文件:426.35 Kbytes 页数:9 Pages

ADPOW

APT35GP120B2DQ2

POWER MOS 7 IGBT

APT

晶科电子

APT35GP120B2DQ2G

POWER MOS 7 IGBT

文件:426.35 Kbytes 页数:9 Pages

ADPOW

APT35GP120B2DQ2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

文件:9.86083 Mbytes 页数:44 Pages

MICROSEMI

美高森美

APT35GP120B2DQ2G

Power Semiconductors Power Modules

文件:2.83336 Mbytes 页数:44 Pages

MICROSEMI

美高森美

APT35GP120B2DQ2G

IGBT w/ anti-parallel diode

Microchip

微芯科技

APT35GP120B2DQ2G

Package:TO-247-3 变式;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 96A 543W TMAX

MICROCHIP

微芯科技

详细参数

  • 型号:

    APT35GP120B2DQ2

  • 制造商:

    ADPOW

  • 制造商全称:

    Advanced Power Technology

  • 功能描述:

    POWER MOS 7 IGBT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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22+
T-MAXB2
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APT
24+
TO-247Max
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TO-247Max
50000
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TO-247
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更多APT35GP120B2DQ2供应商 更新时间2026-1-26 14:04:00