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APT34N80B2C3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 34A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.145Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件:373.01 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

APT34N80B2C3

Super Junction MOSFET

文件:256.329 Kbytes 页数:5 Pages

Microsemi

美高森美

APT34N80B2C3

Super Junction MOSFET

文件:182.51 Kbytes 页数:5 Pages

ADPOW

APT34N80B2C3G

MOSFET

Microchip

微芯科技

详细参数

  • 型号:

    APT34N80B2C3

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全称:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    Super Junction MOSFET

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更多APT34N80B2C3供应商 更新时间2025-12-9 16:30:00