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APT10M25BVR

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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ADPOW

APT10M25BVR

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:419.42 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

APT10M25BVRG

MOSFET

ROHS

Microchip

微芯科技

APT10M25SVR

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs

Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Faster Switching

文件:68.23 Kbytes 页数:4 Pages

ADPOW

HD10M25

HIGH-FREQ ALUMINUM ELECTROLYTIC

文件:14.44 Kbytes 页数:1 Pages

NTE

NPR10M25

NON−POLAR ALUMINUM ELECTROLYTIC

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NTE

详细参数

  • 型号:

    APT10M25BVR

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 75A TO-247

  • RoHS:

    是

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    POWER MOS V®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多APT10M25BVR供应商 更新时间2026-10-31 14:14:00