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GTC9926	文件：325.1 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GTC9926E	文件：363.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GTS9926	文件：334.32 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTS9926providesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive *Lowdrivecurrent	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GTS9926E	文件：363.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTS9926Eprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive Lowdrivecurrent Surfacemountpackage	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
H9926CS	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H9926CTS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H9926S	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H9926TS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HM9926B	文件：491.38 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
JMTP9926A	文件：314.702 Kbytes Page：5 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW

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详细参数

型号：
APM9926C
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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