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APM9926C	文件：141.47 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SO-8andTSSOP-8Packages Applications •PowerManageme	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
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BLM9926	文件：595.53 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
CED9926	文件：59.68 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●20V,26A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40m@VΩGS=2.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEG9926	文件：56.14 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,4.5A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM9926	文件：505.03 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Feature ●20V/,6A,RDS(ON)=30mΩ(MAX)@VGS=4.5V.RDS(ON)=40mΩ(MAX)@VGS=2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM9926	文件：986.07 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
APM9926C
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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