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SM2318NSA	文件：487.23 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SMG2318N	文件：492.26 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SMG2318N	文件：474.93 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
SPA-2318	文件：268.64 Kbytes Page：6 Pages	2150MHz1WattPowerAmplifierwithActiveBias ProductDescription StanfordMicrodevices’SPA-2318isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableand	STANFORDStanford Microdevices Stanford Microdevices	STANFORD
SPA-2318	文件：201.79 Kbytes Page：9 Pages	1700-2200MHz1WattPowerAmpwithActiveBias ProductDescription SirenzaMicrodevices’SPA-2318isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableandc	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
SPA2318Z	文件：646.91 Kbytes Page：8 Pages	1700MHzto2200MHz1WATTPOWERAMPWITHACTIVEBIAS	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SPA-2318Z	文件：201.79 Kbytes Page：9 Pages	1700-2200MHz1WattPowerAmpwithActiveBias ProductDescription SirenzaMicrodevices’SPA-2318isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableandc	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
SPA2318ZSQ	文件：646.91 Kbytes Page：8 Pages	1700MHzto2200MHz1WATTPOWERAMPWITHACTIVEBIAS	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SPA2318ZSR	文件：646.91 Kbytes Page：8 Pages	1700MHzto2200MHz1WATTPOWERAMPWITHACTIVEBIAS	RFMD RF Micro Devices	RFMD
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SPN2318W	文件：339.68 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. SYNC POWER Crop.	SYNC-POWER
SQ2318AES	文件：277.11 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：291.03 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel12V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：256.279 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：279.26 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：244.65 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：278.05 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：222.15 Kbytes Page：10 Pages	AutomotiveP-Channel20V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：280.23 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：278.83 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
APM2318AC-TU
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多APM2318AC-TU供应商更新时间2024-5-20 18:03:00

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