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APM2607	文件：598.1 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features •-30V/-3A,RDS(ON)=100mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23-6Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPo	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
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AUIRFR2607Z	文件：4.07373 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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AUIRFR2607Z	文件：323.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·ACandDCmotorcontrols ·LaserDrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
APM2607
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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