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APM2318AC-TU	文件：113.26 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features •30V/3A, RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=40mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentand	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2318AC-TUL	文件：113.26 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features •30V/3A, RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=40mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentand	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
2318	文件：21.48 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.	KR
2318	文件：992.1 Kbytes Page：8 Pages	LowVoltageandPowerApplications	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2318DFO	文件：992.1 Kbytes Page：8 Pages	LowVoltageandPowerApplications	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2318-H-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AM2318	文件：334.18 Kbytes Page：7 Pages	MOSFETN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION TheAM2318isavailableinSOT-23package. FEATURES 20V/2.0A, RDS(ON)=80mΩ(MAX)@VGS=4.5V RDS(ON)=90mΩ(MAX)@VGS=2.5V SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ReliableandRugged. AvailableinSOT-23Package APPLICATION PowerManagement 	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2318N	文件：330.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET KeyFeatures: •LowrDS(on)trenchtechnology •Lowthermalimpedance •Fastswitchingspeed TypicalApplications: •WhiteLEDboostconverters •AutomotiveSystems •IndustrialDC/DCConversionCircuits	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP2318	文件：851.32 Kbytes Page：16 Pages	600mAULDOREGULATORWITHENABLE	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP2318A	文件：709.03 Kbytes Page：13 Pages	1AULDOREGULATORWITHENABLE	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP2318AGEN-HF	文件：64.84 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5VGateDrive,SmallOutlinePackage,SurfaceMountDevice	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2318BEN	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingPerformance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2318GEN	文件：72.01 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2318GEN-HF	文件：103.42 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5VGateDrive,SmallOutlinePackage	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM2318A	文件：113.26 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/3A, RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=40mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentand	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC

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详细参数

型号：
APM2318AC-TU
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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