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FCPF7N60	文件：513.23 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelSuperFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCPF7N60NT	文件：322.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCPF7N60NT	文件：388.34 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSupreMOS짰MOSFET600V,6.8A,520m廓 N-ChannelSupreMOS®MOSFET 600V,6.8A,520mΩ Description TheSupreMOS®MOSFETisFairchildSemiconductor®’snextgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)technologyemployingadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromtheconventionalSJMOSFETs.Thisadvancedte	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCPF7N60T	文件：513.23 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelSuperFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCPF7N60YDTU	文件：413.52 Kbytes Page：11 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCPF7N60YDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCU7N60	文件：1.07171 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFETis,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance. Features •650V@TJ=150°C •Typ.Rds(on)=0.53Ω •Ultralowga	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD7N60NZ	文件：668.7 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET600V,5.5A,1.25廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD7N60NZ	文件：331.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD7N60NZTM	文件：668.7 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET600V,5.5A,1.25廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP7N60NZ	文件：354.58 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP7N60NZ	文件：333.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDPF7N60NZ	文件：285.95 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,6.5A,1.25?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF7N60NZ	文件：354.58 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF7N60NZ	文件：296.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDU7N60NZTU	文件：668.7 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET600V,5.5A,1.25廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGB7N60UNDF	文件：754.78 Kbytes Page：9 Pages	600V,7AShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGP7N60RUFD	文件：1.7082 Mbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features •Highspeedswitching •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A •Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGP7N60RUFD	文件：861.28 Kbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features •Highspeedswitching •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A •Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGP7N60RUFDTU	文件：1.7082 Mbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features •Highspeedswitching •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A •Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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