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AP9997GJ-HF	文件：102.94 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AP9997seriesarefromAdvancedPowerinnovateddesignandsiliconprocesstechnologytoachievethelowestpossibleon-resistanceandfastswitchingperformance.Itprovidesthedesignerwithanextremeefficientdeviceforuseinawiderangeofpowerapplications. TheTO-252packa	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9997GJ-HF	文件：618.98 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AP9997GK	文件：100.16 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsufacemountapplication,largerheatsinkthanSO-8andSOTpackage. ▼SimpleDriveRequirement ▼Lo	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9997GK	文件：977.71 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP9997GM	文件：188.43 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSO-8packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowv	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9997GP	文件：152.44 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageiswidelypreferredforcommercial-industrialthrough-holeapplications. ▼SimpleDriveRequ	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9997GP-HF	文件：99.51 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageiswidelypreferredforcommercial-industrialthrough-holeapplications. ▼SimpleDriveRequ	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
BD9997FVT	文件：156.5 Kbytes Page：5 Pages	Siliconmonolithicintegratedcircuits Function (1)Theoutputvoltagecanbesetbyexternalresistance. (2)InternalPowerMOStransistorwithBackgateControlfunction (3)Inrushcurrentreduction (4)IntegratedSoftstart (5)Built-inProtectionfunction NMOSovercurrentlimit,overvoltagemute,thermalshutdown,outputg	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
L9997	文件：96.26 Kbytes Page：9 Pages	DUALHALFBRIDGEDRIVER DESCRIPTION TheL9997NDisamonolithicintegrateddriver,inBCDtechnologyintendedtodrivevariousloads,includingDCmotors.Thecircuitisoptimizedforautomotiveelectronicsenviromentalconditions. ■HALFBRIDGEOUTPUTSWITHTYPICALRON=0.7Ω ■OUTPUTCURRENTCAPABILITY±1.2A	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L9997ND	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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