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AP9997GM	文件：188.43 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSO-8packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowv	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9997GM_16	文件：66.91 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9997GP	文件：152.44 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageiswidelypreferredforcommercial-industrialthrough-holeapplications. ▼SimpleDriveRequ	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9997GP-HF	文件：99.51 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageiswidelypreferredforcommercial-industrialthrough-holeapplications. ▼SimpleDriveRequ	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
BD9997FVT	文件：156.5 Kbytes Page：5 Pages	Siliconmonolithicintegratedcircuits Function (1)Theoutputvoltagecanbesetbyexternalresistance. (2)InternalPowerMOStransistorwithBackgateControlfunction (3)Inrushcurrentreduction (4)IntegratedSoftstart (5)Built-inProtectionfunction NMOSovercurrentlimit,overvoltagemute,thermalshutdown,outputg	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
L9997	文件：96.26 Kbytes Page：9 Pages	DUALHALFBRIDGEDRIVER DESCRIPTION TheL9997NDisamonolithicintegrateddriver,inBCDtechnologyintendedtodrivevariousloads,includingDCmotors.Thecircuitisoptimizedforautomotiveelectronicsenviromentalconditions. ■HALFBRIDGEOUTPUTSWITHTYPICALRON=0.7Ω ■OUTPUTCURRENTCAPABILITY±1.2A	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L9997ND	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L9997ND	文件：96.26 Kbytes Page：9 Pages	DUALHALFBRIDGEDRIVER DESCRIPTION TheL9997NDisamonolithicintegrateddriver,inBCDtechnologyintendedtodrivevariousloads,includingDCmotors.Thecircuitisoptimizedforautomotiveelectronicsenviromentalconditions. ■HALFBRIDGEOUTPUTSWITHTYPICALRON=0.7Ω ■OUTPUTCURRENTCAPABILITY±1.2A	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LC9997	文件：187.64 Kbytes Page：9 Pages	1/5InchOpticalSizeNTSCColorSolid-StateImageDevice?	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LC9997	文件：187.64 Kbytes Page：11 Pages	1/5-InchFrameTransferCCDNTSCColorImageSensor Overview TheLC9997Misa1/5-inchopticalsizeframetransferCCDsolid-stateimagesensor. Features •Effectivepixels[totalpixels]:508×246[532×250](H×V) •Numberofopticalblackpixels: Horizontal:2infront,22inback Vertical:2.5above,1.5below •Dum	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

详细参数

型号：
AP9997GM
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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