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AP9997GK

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for suface mount application, larger heatsink than SO-8 and SOT package. ▼ Simple Drive Requirement ▼ Lo

文件:100.16 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9997GK

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:977.71 Kbytes 页数:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AP9997GK-TP

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Application Load/Power Switching Interfacing Switching Logic Level Shift

文件:1.54468 Mbytes 页数:4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

AP9997GK-HF_14

Simple Drive Requirement

文件:100.04 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9997GK-HF_16

Simple Drive Requirement

文件:70.14 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9997GK

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    N

  • VDS (V):

    100

  • VGS (±V):

    20

  • IDS (A) Ta=25°C:

    3.2

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    120

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    200

  • Ciss (pF):

    450/720

  • Qg (nC):

    14/22

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
APEC
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SOT223
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更多AP9997GK供应商 更新时间2025-12-10 16:00:00