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AP9997BGHJ-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:128.99 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9997BGHJ-HF_14

Simple Drive Requirement

文件:128.99 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9997BGHJ-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

APEC

富鼎先进电子

AP9997BGJ-HF

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:781.67 Kbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

AP9997BGJ-HF

Simple Drive Requirement

文件:102.09 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9997GH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.12Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件:330.18 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

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更多AP9997BGHJ-HF供应商 更新时间2025-10-7 16:00:00