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AP9997GH	文件：330.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AP9997GH-HF	文件：102.95 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description AP9997seriesarefromAdvancedPowerinnovateddesignandsiliconprocesstechnologytoachievethelowestpossibleon-resistanceandfastswitchingperformance.Itprovidesthedesignerwithanextremeefficientdeviceforuseinawiderangeofpowerapplications. TheTO-252packa	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9997GH-HF_14	文件：102.95 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement Description AP9997seriesarefromAdvancedPowerinnovateddesignandsiliconprocesstechnologytoachievethelowestpossibleon-resistanceandfastswitchingperformance.Itprovidesthedesignerwithanextremeefficientdeviceforuseinawiderangeofpowerapplications. TheTO-252packa	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9997GH-HF	文件：1.01075 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP9997GH-HF	文件：1.23859 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AP9997GH-HF	文件：105.93 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9997GH-HF_16	文件：105.93 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER

详细参数

型号：
AP9997GH
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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