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AP9997GH-HF	文件：102.95 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description AP9997 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-resistance and fast switching performance. It provides the designer with an extreme efficient device for use in a wide range of power applications. The TO-252 packa 文件：102.95 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9997GH-HF	文件：1.01075 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.01075 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AP9997GH-HF	文件：1.23859 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.23859 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
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AP9997GH-HF_14	文件：102.95 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement Description AP9997 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-resistance and fast switching performance. It provides the designer with an extreme efficient device for use in a wide range of power applications. The TO-252 packa 文件：102.95 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9997GH-HF_16	文件：105.93 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：105.93 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER

详细参数

型号：
AP9997GH-HF
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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