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IRFD9120	文件：173.72 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.60ohm,Id=-1.0A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •ForAutomaticInsertion •En	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9120	文件：52.74 Kbytes Page：6 Pages	1.0A,100V,0.6Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFD9120	文件：1.0209 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •ForautomaticInsertion •Endstackable •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9120	文件：128.69 Kbytes Page：6 Pages	1.0A,100V,0.6Ohm,P-ChannelPowerMOSFET Features •1.0A,100V •rDS(ON)=0.6W •SinglePulseAvalancheEnergyRated •SOAisPowerDissipationLimited •NanosecondSwitchingSpeeds •LinearTransferCharacteristics •HighInputImpedance	SYC SYC Electronica	SYC
IRFD9120PBF	文件：1.87503 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertiablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombina	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9120PBF	文件：1.0209 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFE9120	文件：138.71 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFET®TRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignersth	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9120	文件：23.46 Kbytes Page：2 Pages	P?밅HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE9120	文件：138.57 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9120	文件：70.03 Kbytes Page：1 Pages	MultipleSmall-SignalTransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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